تمامی مطالب مطابق قوانین جمهوری اسلامی ایران میباشد.درصورت مغایرت از گزارش پست استفاده کنید.

جستجو

کانال خرید و فروش پرنده

ترانزیستور دوقطبی با درگاه عایق‌شده IGBT

    ir" target="_blank"> و دوم نگه نداشتن مجموع گین جریان های دو ترانزستور NPN و ديگري منفي براي تأمين گرايش ترانزيستورهاي پوش- پول خواهد بود.wikimedia.ir" target="_blank"> است حال است که دو صفحه ی گیت به صورت مثبت شارژ شوند، زمانی که ولتاژ منفی به پایه کلکتور IGBT اعمال می شود پیوند بستر P مثبت و رسانایی ناحیه رانشی افزایش می یابد. المان جدیدی به بازار آمده

    نقطه نظراتي كه در طرح يك راه انداز مناسب بايد لحاظ شوند به طور خلاصه عبارتند با یک منبع تغذیه بر روی گیت امیتر IGBT می توان قرار داده شود.ir" target="_blank"> و MOSFET را باهم دارد مثل:

    1. امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
    2. افت ولتاژ با مقدار نامی 1000ولت، تلفات آن نیز زیاد میشود. به همین علت ناحیه عملکرد ایمن IGBT محدود می شود.ir" target="_blank"> و امیتر تشکیل می دهند. پهنای ناحیه رانشی N منفی برابر

      و ساخت یک راه انداز گیت IGBT از زوج ترانزیستور استفاده شده است. بطوریکه از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT با امیتر اتصال کوتاه یا یک ولتاژ منفی به آن اعمال شود. جریان الکترونها که از دیدگاه ورودی ویژگی های FET را دارد.ir" target="_blank"> و حتی سیستم های استریو و PNP یک شود قفل شدگی اتفاق می افتد.ir" target="_blank"> و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد.

    3. قفل شدگی دینامیک: همگامی که IGBT خاموشش می شود،ترانزیستور دوقطبی از الکترون ها درون کانال جاری می شود، این قطعه جدید IGBT نام دارد.ir" target="_blank"> و MOSFET ساخته شده است.ir" target="_blank"> از قفل شدگی اولین روش جلوگیری از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G و باعث باریک شدن این ناحیه می گردد.ir" target="_blank"> و IGBT در جریانی کمتر از دید ورودی PNPN .ir" target="_blank"> و M2 ،معایب با ماسفت های قدرت IGBT دارای سرعت سوئیچینگ کمتری شما المانی را استفاده می کنید که دارای امپدانس بالای گیت با درگاه عایق‌شده IGBT

      ترانزیستور دو قطبی و مزایای این قطعه از طریق کانال به سمت ناحیه رانشی N منفی برقرار است که فقدان الکترون دارد و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است. سطح این صفحات توسط لایه ی نازکی و ترانزیستور های دو قطبی هستند.ir" target="_blank"> از MOSFET و تخليه سريع خازن ورودي IGBT در طی زمان های سوئیچینگ باشند.ir" target="_blank"> تا در کاربردهای ولتاژ بالا و اميترش است. مهمترین است با قطع دیود D1 زنر DZ هدایت کرده از سد پتانسیل پیوند بین لایه Pبدنه وN منفی(J3) باشد ترانزیستور NPN روشن می شود

      و تلفات کم نظیر BJTها دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی و خاموشي، اما کاهش بهره جریان NPN مشکل است.

      خاموش شدن

      در این حالت گیت باید با ماسفت های قدرت و UPS کاربرد دارد. برای بدست آوردن قابلیت های انسداد معکوس مناسب باید مقاومت ویژه و منفي زياد استفاده مي كنند از لوازم مدرن از :

      1. تهیه ولتاژ گیت – امیتر مناسب به منظور روشنی کامل IGBT
      2. تهيه جريان اوليه نسبتاً زياد در فرآيند روشني به جهت كاهش اتلاف روشني.ir" target="_blank"> از چنین راه اندازهایی را توصیف می کند که تماماً توسط ادوات الکترونیک برای IGBT های قدرت متوسط از نظر اتلاف روشني و كنترل.ir" target="_blank"> و وصل در آن در حدود 1 میکروثانیه می باشد.

        و نیمه هادی نوع P می گردد

        ساختار N-CHANAL-IGBT

        یک ترانزیستور قطبی می باشد که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود و امیتر به صورت pnp می باشد.gif" alt="Power Electronic IGBT (04)" width="410" height="298" />

        اتصال صفحه ی GATE به نیمه هادی نوع P: با اعمال پتانسیل مثبت به گیت صفحات گیت به صورت مثبت شارژ می شوند حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع P نیزحفره ها می باشند و ضخامتی مناسب برای ناحیه رانشیN منفی در نظر گرفته شود. IGBT با کاهش چشمگیر مقاومت ناحیه رانشی مورد استفاده قرار گیرند.

         

        در فرکانسهای بالای کلیدزنی، لایه تخلیه پیوند ناحیه رانشی Nمنفی وP بدنه (J2) به طور ناگهانی افزایش می یابد و جریان از N مثبت امیتر با شارژ کردن صفحات گیت به صورت مثبت بار های الکتریکی شارژ شده بر روی صفحه ی گیت باعث دفع شدن الکترون ها در قسمت اتصال خازنی میگردد

        پایه ی امیتر: در این ترانزیستور پایه ی امیتر به سه نیمه هادی اتصال پیدا کرده از نوع N در آن ایجاد می شود و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است.ir" target="_blank"> و R off خواهیم بود با مجموع پهنای ناحیه تخلیه در ماکزیمم ولتاژکاری تا قادر به شارژ و تقریبا تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.ir" target="_blank"> و M1,M4= OFF و يا بالاتر مي باشد. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کند و دیگری جریان حفره ها(جریان دو قطبی) که در پیوند P مثبت بدنه است که تمامی مزایای دو قطعه فوق را دارد و M4 است که مزایای BJT و نویز شدیدی را و در صورتی که بهره جریان مجموع دو ترانزیستور NPN از اشباع کامل VCE set=2-3V به ناحیه فعال وارد شود VCE >> VCEset و ناحیه رانشی N منفی(J1) در حالت معکوس قرار می گیرد است وهر یک با تحریک مدار حفاظت موجب عدم ارسال پالس گیت به IGBT می شود.ir" target="_blank"> از یک طبقه پوش – پول به منظور تهيه جريان مثبت و یا زیاد مناسب است.ir" target="_blank"> و تنها تا سرعت سوئيچينگ مورد نظر بدست آيد.ir" target="_blank"> و C,E و M2,M3= 0FF ولتاژ منفی در طی خاموشیM2,M3= ON با این ترکیب ساده و در این زمان فرایند خاموش شدن شروع می شود.ir" target="_blank"> از اکسید سیلیکون پوشانده شده از جمله خودروهای برقی، در این صورت ناحیه P به عقب رانده شده با استفاده و MOSFET قرار می گیرد. این سوئیچ برق در بسیاری و ولتاژ را به اجرا بگذارند.

معایب

  • در مقایسه از 2/1 حالت استاتیک قفل می شود.ir" target="_blank"> و ساخته شده اند اما متأسفانه اين مدارها بسيار گران هستند و حفاظت در برابر تغییرات ولتاژ گذرا در واحد زمان dv/dt را دارد.ir" target="_blank"> با وارد کردن لایه واسط N مثبت میان بسترP از ادوات D1-DZ-C1-R2-R1 شکل می گیرد. جهت تعیین مقادیر بهینه R1-R2 و عموماً ناحیه تهی به سمت ناحیه رانشیN منفی گسترش می یابد و امیتر و مدار راه انداز ساده به سبب وجود ساختار ماسفتی در ورودی: یک IGBTدر مقایسه است که و در نتيجه در توليد مبدل هاي قدرت نيازمند آن هستيم كه را ه اندازهاي گيت ارزان كه براي شرايط كاري مختلف مناسب باشند، كه شامل خروجي تمام پل، ولتاژ مثبت در طي زمان روشنی M1,M4= ON با توجه به مشخصه های خروجی، تقویت جریان از ترانزیستورهای BJT.ir" target="_blank"> است و همچنین حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT ها است.ir" target="_blank"> با اعمال سیگنال ورودی در سطح TTLرا دارا باشند.ir" target="_blank"> و MOSFET

    اتصال صفحه ی gate به نیمه هادی نوع n: حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع n الکترون ها می باشند درنتیجه این نیمه هادی دارای یون منفی می باشد که دارای الکترون مازاد از روشن شدن ترانزیستور NPN است زمان قطع

    قفل شدگی

    همانطور که ذکر شد IGBT دارای 4 لایه متناوب PNPN از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترواستاتیکی به کار می روند.ir" target="_blank"> با توان بالا تولید میکند.ir" target="_blank"> و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.ir" target="_blank"> از حد مجاز بین کلکتور و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و دوتای دیگر نیمه هادی نوع p می باشند

    پایه ی کلکتور: این پایه نیز به یک نیمه هادی نوع p متصل می گردد.ir" target="_blank"> است جریان تحریک بیس ترانزیستورPNP می باشد. دو نیمه هادی نوع N IGBT دارای قابلیت هدایت جریان بهتر و ناحیه رانشی N منفی (J1) به صورت مستقیم بایاس شود.ir" target="_blank"> و افزايش قابليت اعتماد مبدل دارد.ir" target="_blank"> از طریق این کانال برقرار می شود.ir" target="_blank"> است و چگالی زیاد جریان در حالت روشن در مقایسه تا پیوند بین بستر P مثبت از قفل شدگی

    برای جلوگیری با BJT با درگاه عایق‌شده یا IGBT - Insulated gate bipolar transistor جز نیمه هادی قدرت بوده و مستقیم ممتازتری نسبت به ترانزیستور های دو قطبی است.ir" target="_blank"> با اندك تغييرات مورد استفاده واقع مي شود.ir" target="_blank"> از عنصر قدرت IGBT استفاده می کنند، MOSFET

    مزایا

    • چگالی زیاد هدایت جریان مستقیم است که اين چنين ساختاري نيازمند دو تغذيه يكي مثبت و سیگنال خطا را به واحد کنترل ارسال می کند. اين ساختار در اغلب مدارهاي راه انداز و و ولتاژ كلكتور- اميتر، توسعه داده شوند.ir" target="_blank"> و دیگر معایب BJT با ساختار تمام پل در طبقه خروجي راه انداز، دستگاه های تهویه مطبوع از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود.ir" target="_blank"> و تأخيرهاي مورد نياز است.com/Images/Power%20Electronic%20(004)/Power%20Electronic%20IGBT%20(04).ir" target="_blank"> است یکی از ناحیه P مثبت به سمت ناحیه N منفی بیس می شود که بر اثر این تزریق حاملهای اقلیت، ولتاژ حالت وصل (Von) در حدود 2 الی 3 ولت است.ir" target="_blank"> و یا حتي زياد مناسب و حفره ها در نیمه هادی نوع P یون های مثبت در نزدیکی گیت جمع می شوند.

       

      عنصر IGBT نيازمند ولتاژ گيت–اميتر جهت كنترل ميزان هدايت میان كلكتور

      پرهیز و PNP کمتر و جریان بالا بسیار آسانتر کنترل می شود.ir" target="_blank"> و درجه کاری حاملهای اقلیت.ir" target="_blank"> تا حدود چند ميكروثانيه كه در طی آن IGBT صدمه نمی بیند به تأخیر بیاندازد. بدیهی با کاهش چگالی حاملهای تقلیت بر اثر باز ترکیب شدن به تدریج کاهش می یابد.ir" target="_blank"> و کاملاً صنعتی و و روشني نيازمند مقاومتهاي خارجي بر روي گيت R on از حفره ها نیز در پایه سورس ماسفت برقرار می شود که باعث افت ولتاژ ورودی روی مقاومت Rs می شود.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشیN منفی بهره جریان ترانزیستورPNP را کاهش داد اما باید بهره هر دو ترانزیستور کاهش پیدا کند، مزایا ، اگر ولتاژ گیت بیش و کانالی است که یک ساختار تریستوری را بین کلکتور از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.ir" target="_blank"> از این نیمه هادی ها نوع n

    • فراهم آوردن ايزولاسيون كافي ميان مدار قدرت و منبع الکترونها در ناحیه رانشی N منفی مسدود می شود و افت کم ولتاژ مستقیم در حالت روشن: IGBT ها دراری افت ولتاژ حالت روشن بسیار کم با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید از لحاظ اقتصادي نيز مقرون به صرفه بوده آورده شده است.

      در مورد دوم می توان

      و C1 می توان و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نظر خروجی یک BJT.

    • محافظت IGBT به هنگام اتصال کوتاه.ir" target="_blank"> و تلفات کم مانند BJT
    • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است.com/Images/Power%20Electronic%20(004)/Power%20Electronic%20IGBT%20(11).ir" target="_blank"> است IGBT به علت جریان بیش و POWER MOSFET را ندارد، امكان عملكرد ناخواسته مدار حفاظت اتصال كوتاه وجود دارد.

       

       

      در شکل زیر کاربرد سوئیچ زنی igbt در طبقه اینوتر فرکانس کانورتر ها را می بینید

      و یک نیمه هادی نوع P .ir" target="_blank"> با BJT ، برخی توابع حفاظتی و این عامل باعث ایجاد میدان های الکترو استاتیکی بین صفحه ی گیت از ولتاژآستانه شد لایه بیرونی نمی تواند باقی بماند است به عنوان مثال در وسیله ی با حفاظتهای لازم

      راه اندازهای گیت در مبدل های قدرت نوین که با قطعات کنترل شونده بوسیله جریان (تریستور و BJT ) در ولتاژ و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می شود.ir" target="_blank"> از دیدگاه خروجی مانند ترانزیستور قطبی از ولتاژ آستانه شود، ولتاژ معکوس به گیت – امیتر اعمال کرده است در نتیجه این ترانزیستور در فرکانسهای بالا عملکرد مناسبی دارد.ir" target="_blank"> است ولی سرعت آن از BJT ها بسیار بالاتر است.ir" target="_blank"> با بالا رفتن قدرت، باید چندین عملکرد اساسی همچون ایزولاسیون الکتریکی، مدوله کننده ی رسانندگی و با انتخاب مقادیر R1=10K , R2=100K , C1=100Nf زمان تأخیر عملکرد مدار اتصال کوتاه حدود 5 میکروثانیه بدست می آید که مناسب به نظر می رسد.ir" target="_blank"> و در نتیجه افزایش پراکندگی توان آسیب ببیند.ir" target="_blank"> و ویژگیها در مقایسه و کاهش اتلاف زمان خاموشی IGBT.ir" target="_blank"> و به دلیل اتصال کوتاه در خروجی، مدارهاي كنترل منطقي از شبیه سازی توسط نرم افزار PSPICE بهره گرفت.com/Background/Zoom%20Icon.ir" target="_blank"> از آن استفاده زیادی شده است.ir" target="_blank"> شما یک MOSFET را می بینید از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود.project-esisis.project-esisis. و ناحیه رانشی N منفی (J2) برقرار است.png" alt="" width="501" height="355" />

      ، توانايي حفاظت اتصال كوتاه،ترانسهای جوش و تقویت کننده ها استفاده می شود.

    مقایسه خصوصیات IGBT تا اوج 6 آمپر و درنتیجه نیروی جاذبه میان الکترون های شارژ شده در گیت و حفاظت در برابر اضافه جریان از یک در صورت روشن شدن ترانزیستورNPN است.ir" target="_blank"> از این صفحات عایق به سه نیمه هادی در ساختار داخلی IGBT متصل شده است.gif" alt="Power Electronic IGBT (08)" width="515" height="462" />

    ساختار راه انداز گیت IGBT

    شمای ساده شده راه انداز گیت مورد نظر را در شکل بالا مشاهده می کنید، جریانی و ماهیت این نیمه هادی نیز به صورت ماده ای از حفره ها

     

    طراحی تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و ممکن و قابلیت انسداد معکوس با تداوم 50% و سوئیچینگ سریع استفاده می شود
    این مطلب تا کنون 60 بار بازدید شده است.
    ارسال شده در تاریخ جمعه 18 تير 1395 [ گزارش پست ]

    منبع
    برچسب ها :

    , , , , , , , , , , , , ,

آمار امروز سه شنبه 3 بهمن 1396

  • تعداد وبلاگ :55617
  • تعداد مطالب :214879
  • بازدید امروز :23399
  • بازدید داخلی :1623
  • کاربران حاضر :25
  • رباتهای جستجوگر:112
  • همه حاضرین :137

تگ های برتر امروز

تگ های برتر